IRF6706S2TRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6706S2TRPBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 6.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 26 W
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 17A
输入电容Ciss 1810pF @13VVds
耗散功率Max 1.8W Ta, 26W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DirectFET-S1
外形尺寸
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
高度 0.74 mm
封装 DirectFET-S1
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF6706S2TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF6706S2TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6706S2TRPBF | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 25V 17A | 搜索库存 |
替代型号IRF6706S2TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6706S2TRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DirectFET-S1 N-CH 25V 17A | 当前型号 | Direct-FET N-CH 25V 17A | 当前型号 |
| 型号： IRF6706S2TR1PBF 品牌： 英飞凌 封装： DIRECTFET N-CH 25V 17A | 完全替代 | Direct-FET N-CH 25V 17A | IRF6706S2TRPBF和IRF6706S2TR1PBF的区别 |