IRF6706S2TR1PBF、IRF6706S2TRPBF对比区别

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型号 IRF6706S2TR1PBF IRF6706S2TRPBF

描述 Direct-FET N-CH 25V 17ADirect-FET N-CH 25V 17A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DirectFET-S1 DirectFET-S1

通道数 - 1

漏源极电阻 - 6.5 mΩ

极性 N-CH N-CH

耗散功率 26 W 26 W

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

漏源击穿电压 - 25 V

连续漏极电流(Ids) 17A 17A

输入电容(Ciss) 1810pF @13V(Vds) 1810pF @13V(Vds)

耗散功率(Max) 1.8W (Ta), 26W (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc)

长度 4.85 mm 4.85 mm

宽度 3.95 mm 3.95 mm

高度 0.74 mm 0.74 mm

封装 DirectFET-S1 DirectFET-S1

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free