制造商型号: | APT50GR120JD30 |
制造商: | MICROSEMI (美高森美) |
产品类别: | 晶体管IGBT |
商品描述: | IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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MICROSEMI(美高森美) APT50GR120JD30
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APT50GR120JD30 中文资料
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APT50GR120JD30 规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT50GR120JD30
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
包装
-
系列
-
零件状态
Active
IGBT 类型
NPT
配置
Single
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
84A
功率 - 最大值
417W
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
3.2V @ 15V, 50A
电流 - 集电极截止(最大值)
1.1mA
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
5.55nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
No
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SOT-227-4
供应商器件封装
SOT-227
品牌其他型号
APT50GR120JD30品牌厂家:MICROSEMI
,所属分类: 晶体管IGBT
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