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MICROSEMI(美高森美) APT50GR120JD30

MICROSEMI(美高森美) APT50GR120JD30
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

APT50GR120JD30

制造商:

MICROSEMI (美高森美)

产品类别:

晶体管IGBT

商品描述:

IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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APT50GR120JD30 中文资料

APT50GR120JD30 规格参数

属性
参数值

制造商型号

APT50GR120JD30

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227

包装

-

系列

-

零件状态

Active

IGBT 类型

NPT

配置

Single

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)

84A

功率 - 最大值

417W

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

3.2V @ 15V, 50A

电流 - 集电极截止(最大值)

1.1mA

不同 Vce 时的输入电容(Cies)

5.55nF @ 25V

输入

Standard

NTC 热敏电阻

No

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

封装/外壳

SOT-227-4

供应商器件封装

SOT-227

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服

价格(含增值税)

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