制造商型号： | IXBA16N170AHV |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | REVERSE CONDUCTING IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXBA16N170AHV
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IXBA16N170AHV 中文资料
数据手册PDF
IXBA16N170AHV 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 BIMOSFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.7 kV
漏极电流 16 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 25
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 357.704293 | 357.70 |
| 10 | 329.870694 | 3298.71 |
| 100 | 281.686966 | 28168.70 |
| 500 | 262.2455 | 131122.75 |
