制造商型号： | IXTP6N50D2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP6N50D2
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IXTP6N50D2 中文资料
数据手册PDF
IXTP6N50D2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 96 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 43 ns
正向跨导（Min） 2.8 S
上升时间 72 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 82 ns
典型接通延迟时间 28 ns
外形参数
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Depletion Mode MOSFET
单位重量 2 g
库存： 460
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 105.478848 | 105.48 |
| 10 | 95.315245 | 953.15 |
| 100 | 78.91037 | 7891.04 |
| 500 | 68.71417 | 34357.08 |
| 1000 | 59.847851 | 59847.85 |
| 2000 | 57.631338 | 115262.68 |
品牌其他型号
IXTP6N50D2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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