制造商型号: | IXTP6N50D2 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP6N50D2
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IXTP6N50D2 中文资料
数据手册PDF
IXTP6N50D2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 96 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 43 ns
正向跨导(Min) 2.8 S
上升时间 72 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 82 ns
典型接通延迟时间 28 ns
外形参数
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Depletion Mode MOSFET
单位重量 2 g
库存: 460
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 91.991892 | 91.99 |
10 | 83.12785 | 831.28 |
100 | 68.820568 | 6882.06 |
500 | 59.928096 | 29964.05 |
1000 | 52.19546 | 52195.46 |
2000 | 50.26236 | 100524.72 |
品牌其他型号
IXTP6N50D2品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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