制造商型号： | RGTH50TS65DGC11 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 650V 50A 174W TO-247N |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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ROHM(罗姆) RGTH50TS65DGC11
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RGTH50TS65DGC11 中文资料
数据手册PDF
RGTH50TS65DGC11 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
耗散功率 174 W
集电极连续电流 25 A
集电极连续电流（Max） 50 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
规格参数
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH50TS65D
单位重量 38 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 22.524045 | 22.52 |
| 10 | 20.250189 | 202.50 |
| 25 | 19.146153 | 478.65 |
| 100 | 15.316351 | 1531.64 |
| 250 | 14.465443 | 3616.36 |
品牌其他型号
RGTH50TS65DGC11品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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