制造商型号： | RGT50NS65DGTL |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RGT50NS65DGTL
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RGT50NS65DGTL 中文资料
数据手册PDF
RGT50NS65DGTL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 48 A
耗散功率 194 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT50NS65D(LPDS)
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥41.49761 总价：￥41.50 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 41.49761 | 41.50 |
| 10 | 37.226156 | 372.26 |
| 100 | 30.503786 | 3050.38 |
| 500 | 25.967526 | 12983.76 |
品牌其他型号
RGT50NS65DGTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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