制造商型号: | NGTG12N60TF1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 600V 24A 54W TO-3PF |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多NGTG12N60TF1G价格库存等采购信息! |
ON(安森美) NGTG12N60TF1G
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
NGTG12N60TF1G 中文资料
数据手册PDF
NGTG12N60TF1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 24 A
耗散功率 54 W
集电极连续电流 20 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 8 g
库存: 215
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 21.314141 | 21.31 |
10 | 19.100353 | 191.00 |
25 | 18.019201 | 450.48 |
100 | 14.054977 | 1405.50 |