制造商型号： | PD20010-E |
制造商： | ST (意法半导体) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ST(意法半导体) PD20010-E
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PD20010-E 中文资料
数据手册PDF
PD20010-E 规格参数
属性
参数值
制造商型号
PD20010-E
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
包装
Tube
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
晶体管类型
LDMOS
频率
2GHz
增益
11dB
电压 - 测试
13.6V
额定电流（安培）
5A
噪声系数
-
电流 - 测试
150mA
功率 - 输出
10W
电压 - 额定
40V
封装/外壳
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
供应商器件封装
PowerSO-10RF (Formed Lead)
品牌其他型号
PD20010-E品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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