制造商型号： | MRFE6VP5600HR5 |
制造商： | NXP (恩智浦) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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NXP(恩智浦) MRFE6VP5600HR5
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MRFE6VP5600HR5 中文资料
数据手册PDF
MRFE6VP5600HR5 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏源击穿电压 130 V
工作频率 1.8 MHz to 600 MHz
输出功率 600 W
配置 Dual
耗散功率 1.667 kW
栅极电压 10 V
栅源极阈值电压 2.2 V
规格参数
增益 25 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935310538178
单位重量 13.155 g
库存： 40
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2099.948095 | 2099.95 |
| 10 | 2011.22158 | 20112.22 |
| 25 | 1966.849598 | 49171.24 |
品牌其他型号
MRFE6VP5600HR5品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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