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MRFE6VP5600HR5、MRFE6VP5600HR6、MRF6VP2600HR5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRFE6VP5600HR5 MRFE6VP5600HR6 MRF6VP2600HR5

描述 晶体管, 射频FET, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230晶体管, 射频FET, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230NXP  MRF6VP2600HR5  射频场效应管, MOSFET, N沟道, 110V, 375D-05

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 4 5 4

封装 NI-1230-4H NI-1230-4H NI-1230

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

频率 230 MHz 230 MHz 225 MHz

额定电流 - - 2.5 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

极性 - - N-Channel

漏源极电压(Vds) 130 V 130 V 110 V

连续漏极电流(Ids) - - 50.0 µA

输出功率 600 W 600 W 125 W

增益 25 dB 25 dB 25 dB

测试电流 100 mA 100 mA 2.6 A

输入电容(Ciss) 342pF @50V(Vds) 342pF @50V(Vds) 1.7pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

额定电压 130 V 130 V 110 V

电源电压 50 V 50 V 50 V

针脚数 4 4 -

耗散功率 1.667 kW 1.667 kW -

封装 NI-1230-4H NI-1230-4H NI-1230

重量 13155.2 mg - 13155.2 mg

工作温度 -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

军工级 Yes - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99