制造商型号： | FDN86501LZ |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDN86501LZ
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FDN86501LZ 中文资料
数据手册PDF
FDN86501LZ 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 198 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.2 ns
上升时间 1.2 ns
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 9.6 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns
外形参数
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
库存： 15536
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 24.937048 | 24.94 |
| 10 | 20.672813 | 206.73 |
| 100 | 16.453465 | 1645.35 |
| 500 | 13.921856 | 6960.93 |
| 1000 | 11.81243 | 11812.43 |
品牌其他型号
FDN86501LZ品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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