制造商型号: | IXBT2N250 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 2500V 5A 32W TO268 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXBT2N250
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IXBT2N250 中文资料
数据手册PDF
IXBT2N250 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 BIMOSFET
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 2.5 kV
饱和电压 3.15 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 5 A
耗散功率 32 W
集电极连续电流(Max) 5 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6 g
库存: 478
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 259.105741 | 259.11 |
10 | 238.92836 | 2389.28 |
100 | 204.031253 | 20403.13 |
500 | 189.949591 | 94974.80 |
品牌其他型号
IXBT2N250品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-IGBT
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