制造商型号： | NGTB40N60L2WG |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 600V 80A 417W TO247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NGTB40N60L2WG
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NGTB40N60L2WG 中文资料
数据手册PDF
NGTB40N60L2WG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 417 W
集电极连续电流（Max） 80 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
库存： 39
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 74.383262 | 74.38 |
| 10 | 66.759596 | 667.60 |
| 25 | 63.109626 | 1577.74 |
| 100 | 50.486713 | 5048.67 |
| 250 | 47.681896 | 11920.47 |
| 500 | 44.877078 | 22438.54 |
| 1000 | 39.267443 | 39267.44 |
