制造商型号： | RGW80TS65DGC11 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RGW80TS65DGC11
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RGW80TS65DGC11 中文资料
数据手册PDF
RGW80TS65DGC11 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 78 A
耗散功率 214 W
集电极连续电流（Max） 78 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 36.302006 | 36.30 |
| 10 | 32.599645 | 326.00 |
| 100 | 26.710283 | 2671.03 |
| 500 | 22.737823 | 11368.91 |
| 1000 | 19.383273 | 19383.27 |
