制造商型号： | RGTH40TK65GC11 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) RGTH40TK65GC11
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RGTH40TK65GC11 中文资料
数据手册PDF
RGTH40TK65GC11 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 23 A
耗散功率 56 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH40TK65
RGTH40TK65GC11 同类别型号
库存： 450
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 51.771739 | 51.77 |
| 10 | 46.458649 | 464.59 |
| 25 | 43.928135 | 1098.20 |
| 100 | 35.140531 | 3514.05 |
| 250 | 33.18828 | 8297.07 |
| 500 | 31.236028 | 15618.01 |
| 1000 | 27.331524 | 27331.52 |
品牌其他型号
RGTH40TK65GC11品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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