制造商型号: | NGTG35N65FL2WG |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 650V 60A 167W TO247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NGTG35N65FL2WG
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NGTG35N65FL2WG 中文资料
数据手册PDF
NGTG35N65FL2WG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 70 A
耗散功率 300 W
集电极连续电流(Max) 35 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
库存: 102
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 45.840836 | 45.84 |
10 | 41.170261 | 411.70 |
100 | 33.731936 | 3373.19 |