制造商型号： | NVMFS6H836NT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 80V 6DFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NVMFS6H836NT1G
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NVMFS6H836NT1G 中文资料
数据手册PDF
NVMFS6H836NT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 6.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 34 ns
正向跨导（Min） 97 S
上升时间 45 ns
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 175 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥14.242549 总价：￥14.24 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.242549 | 14.24 |
| 200 | 5.515567 | 1103.11 |
| 500 | 5.328355 | 2664.18 |
| 1000 | 5.227548 | 5227.55 |
品牌其他型号
NVMFS6H836NT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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