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DIODES(美台) DMN3015LSD-13

DIODES(美台) DMN3015LSD-13
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

DMN3015LSD-13

制造商:

DIODES (美台)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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DMN3015LSD-13 中文资料

DMN3015LSD-13 规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 8.4 A

漏源电阻 15 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.3 V

栅极电荷 25.1 nC

耗散功率 1.6 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

晶体管类型 2 N-Channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 750 mg

库存: 4506

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥7.808656 总价:¥7.81
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 7.808656 7.81
10 6.691417 66.91
100 4.993936 499.39
500 3.92403 1962.02
1000 3.032161 3032.16
品牌其他型号
DMN3015LSD-13品牌厂家:DIODES ,所属分类: 射频晶体管 ,可在锐单商城现货采购DMN3015LSD-13、查询DMN3015LSD-13代理商; DMN3015LSD-13价格批发咨询客服;这里拥有 DMN3015LSD-13中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 DMN3015LSD-13替代型号DMN3015LSD-13数据手册PDF