制造商型号: | DMN3015LSD-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN3015LSD-13
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DMN3015LSD-13 中文资料
数据手册PDF
DMN3015LSD-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.4 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 4506
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.808656 | 7.81 |
10 | 6.691417 | 66.91 |
100 | 4.993936 | 499.39 |
500 | 3.92403 | 1962.02 |
1000 | 3.032161 | 3032.16 |
品牌其他型号
DMN3015LSD-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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