制造商型号： | NGTB35N65FL2WG |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 650V 70A 300W TO247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多NGTB35N65FL2WG价格库存等采购信息！ |
ON(安森美) NGTB35N65FL2WG
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
NGTB35N65FL2WG 中文资料
数据手册PDF
NGTB35N65FL2WG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 70 A
耗散功率 300 W
集电极连续电流（Max） 70 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 33.060601 | 33.06 |
| 10 | 29.707038 | 297.07 |
| 100 | 24.340003 | 2434.00 |
| 500 | 20.720155 | 10360.08 |
| 1000 | 17.474782 | 17474.78 |
