制造商型号： | RGT30TM65DGC9 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | FIELD STOP TRENCH IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多RGT30TM65DGC9价格库存等采购信息！ |
ROHM(罗姆) RGT30TM65DGC9
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
RGT30TM65DGC9 中文资料
数据手册PDF
RGT30TM65DGC9 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 14 A
耗散功率 32 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT30TM65D
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.976037 | 19.98 |
| 10 | 17.957332 | 179.57 |
| 100 | 14.713336 | 1471.33 |
| 500 | 12.525257 | 6262.63 |
| 1000 | 10.677332 | 10677.33 |
