制造商型号: | IRFHM8363TRPBF |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) IRFHM8363TRPBF
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IRFHM8363TRPBF 中文资料
数据手册PDF
IRFHM8363TRPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 16.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 2.7 W
配置 Dual
下降时间 33 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 94 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFHM8363TRPBF SP001565948
单位重量 122.136 mg
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IRFHM8363TRPBF品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 射频晶体管
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