制造商型号: | QS8M12TCR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ROHM(罗姆) QS8M12TCR
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QS8M12TCR 中文资料
数据手册PDF
QS8M12TCR 规格参数
属性
参数值
制造商型号
QS8M12TCR
制造商
ROHM(罗姆)
商品描述
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
42mOhm @ 4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
250pF @ 10V
功率 - 最大值
1.5W
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装
TSMT8