制造商型号: | SQD100N04-3M6_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQD100N04-3M6_GE3
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SQD100N04-3M6_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQD100N04-3M6_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 120 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SQD100N04-3M6_GE3 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2000 | 4.831443 | 9662.89 |
6000 | 4.392189 | 26353.13 |
10000 | 4.189472 | 41894.72 |
品牌其他型号
SQD100N04-3M6_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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