制造商型号： | NXH80B120H2Q0SG |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管IGBT |
商品描述： | PIM 1200V, 40A DUAL BOOST |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NXH80B120H2Q0SG
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NXH80B120H2Q0SG 中文资料
数据手册PDF
NXH80B120H2Q0SG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
产品 IGBT Silicon Carbide Modules
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.2 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
耗散功率 103 W
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 SiC
物理类型
产品种类 IGBT 模块
安装风格 Press Fit
产品类型 IGBT Modules
NXH80B120H2Q0SG 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 553.733839 | 553.73 |
