制造商型号: | DMN2024UTS-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 8V-24V TSSOP-8 T&R |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) DMN2024UTS-13
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DMN2024UTS-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.2 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 900 pC
耗散功率 1.39 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 245 ns
上升时间 1024 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 434 ns
典型接通延迟时间 140 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 158 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 2500 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥2.120897 总价:¥5302.24 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 2.120897 | 5302.24 |
5000 | 2.013098 | 10065.49 |
12500 | 1.869245 | 23365.56 |
25000 | 1.826125 | 45653.13 |
62500 | 1.779536 | 111221.00 |