制造商型号: | SSM6N61NU,LF |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Toshiba(东芝) SSM6N61NU,LF
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SSM6N61NU,LF 中文资料
数据手册PDF
SSM6N61NU,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
产品 MOSFETs
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 108 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 3.6 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 12 S
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
类型 Silicon N-Channel MOS
单位重量 8.500 mg
品牌其他型号
SSM6N61NU,LF品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 射频晶体管
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