SSM6N61NU,LF

Toshiba(东芝) 主动器件

20V 4A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 4A 2W Surface Mount 6-UDFNB 2x2

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

贸泽:
MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 6-Pin UDFN EP T/R

SSM6N61NU,LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4A

输入电容Ciss 410pF @10VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 WDFN-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SSM6N61NU,LF引脚图与封装图

SSM6N61NU,LF引脚图

SSM6N61NU,LF封装图

SSM6N61NU,LF封装焊盘图

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