制造商型号： | NXH100B120H3Q0PTG |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管IGBT |
商品描述： | IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NXH100B120H3Q0PTG
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NXH100B120H3Q0PTG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
产品 IGBT Silicon Carbide Modules
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.77 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
栅极—射极漏泄电流 800 nA
耗散功率 186 W
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 SiC
物理类型
产品种类 IGBT 模块
安装风格 Press Fit
产品类型 IGBT Modules
NXH100B120H3Q0PTG 同类别型号
库存： 24
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1083.782606 | 1083.78 |
| 24 | 989.443913 | 23746.65 |
| 48 | 943.991816 | 45311.61 |
| 96 | 895.043368 | 85924.16 |
