制造商型号： | DMC3060LVT-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMC3060LVT-7
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DMC3060LVT-7 中文资料
数据手册PDF
DMC3060LVT-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.6 A, 2.8 A
漏源电阻 60 mOhms, 95 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 11.3 nC, 8.6 nC
耗散功率 830 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.7 ns, 29.5 ns
上升时间 30.8 ns, 17.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18.3 ns, 17.8 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns, 7.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3.11688 | 3.12 |
| 10 | 2.544341 | 25.44 |
| 100 | 1.731785 | 173.18 |
| 500 | 1.299056 | 649.53 |
| 1000 | 0.974292 | 974.29 |
