制造商型号: | DMC67D8UFDB-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 41V~60V U-DFN2020-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMC67D8UFDB-7
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DMC67D8UFDB-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V, 20 V
漏极电流 390 mA, 2.9 A
漏源电阻 4 Ohms, 72 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 2.5 V, 1.25 V
栅极电荷 400 fC, 7.3 nC
耗散功率 580 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 22 ns, 41 ns
上升时间 3.6 ns, 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 102 ns, 38 ns
典型接通延迟时间 3.7 ns, 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 3000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥1.456528 总价:¥4369.58 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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3000 | 1.456528 | 4369.58 |