制造商型号: | DMN3270UVT-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) DMN3270UVT-13
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DMN3270UVT-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 270 mOhms
栅极电压 - 500 mV, + 5 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 3.07 nC
耗散功率 1.08 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 674 ns
上升时间 205 ns
典型关闭延迟时间 1470 ns
典型接通延迟时间 163 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10000 | 0.768321 | 7683.21 |