制造商型号： | DMG6602SVTX-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMG6602SVTX-7
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DMG6602SVTX-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.4 A, 2.8 A
漏源电阻 60 mOhms, 95 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV, 1.8 V
栅极电荷 13 nC, 9 nC
耗散功率 1.12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 13 ns
正向跨导（Min） 4 S, 6 S
上升时间 5 ns, 7.3 ns
典型关闭延迟时间 13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 4.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 3000 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥1.291052 总价：￥3873.16 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.291052 | 3873.16 |
