制造商型号: | DMP2110UVT-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) DMP2110UVT-7
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DMP2110UVT-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.8 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 740 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.5 ns
上升时间 3.7 ns
典型关闭延迟时间 24.5 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.662136 | 1986.41 |