制造商型号： | DMG1023UVQ-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMG1023UVQ-7
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DMG1023UVQ-7 中文资料
数据手册PDF
DMG1023UVQ-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.03 A
漏源电阻 25 Ohms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 622 pC
耗散功率 530 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8.1 ns
上升时间 8.1 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28.4 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.528764 | 1586.29 |
