制造商型号： | SSM6N36FE,LM |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Toshiba(东芝) SSM6N36FE,LM
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SSM6N36FE,LM 中文资料
数据手册PDF
SSM6N36FE,LM 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 630 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 1.23 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 36 mg
品牌其他型号
SSM6N36FE,LM品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 射频晶体管
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