制造商型号： | HGTD1N120BNS9A |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) HGTD1N120BNS9A
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HGTD1N120BNS9A 中文资料
数据手册PDF
HGTD1N120BNS9A 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.5 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 5.3 A
耗散功率 60 W
集电极连续电流 5.3 A
集电极连续电流（Max） 5.3 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 260.370 mg
库存： 14
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.415375 | 19.42 |
| 10 | 17.46228 | 174.62 |
| 100 | 14.038009 | 1403.80 |
| 500 | 11.533657 | 5766.83 |
| 1000 | 9.556409 | 9556.41 |
