制造商型号： | SQJQ410EL-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 135A POWERPAK8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SQJQ410EL-T1_GE3
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SQJQ410EL-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJQ410EL-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 135 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 87 ns
正向跨导（Min） 84 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 69 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
库存： 987
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 36.145114 | 36.15 |
| 10 | 30.394189 | 303.94 |
| 100 | 24.591098 | 2459.11 |
| 500 | 21.858726 | 10929.36 |
| 1000 | 18.716586 | 18716.59 |
品牌其他型号
SQJQ410EL-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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