制造商型号： | IRF630NPBF |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
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INFINEON(英飞凌) IRF630NPBF
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IRF630NPBF 中文资料
数据手册PDF
IRF630NPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 9.3 A
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 23.3 nC
耗散功率 82 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 4.9 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 7.9 ns
外形参数
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF630NPBF SP001564792
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.134977 | 8.13 |
| 10 | 6.644764 | 66.45 |
| 100 | 5.16535 | 516.53 |
| 500 | 4.37849 | 2189.24 |
| 1000 | 3.566719 | 3566.72 |
品牌其他型号
IRF630NPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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