制造商型号: | NGTB20N120IHWG |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 20A 1200V TO-247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) NGTB20N120IHWG
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NGTB20N120IHWG 中文资料
数据手册PDF
NGTB20N120IHWG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
耗散功率 341 W
集电极连续电流(Max) 20 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥39.314621 总价:¥39.31 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 39.314621 | 39.31 |
25 | 35.383159 | 884.58 |
50 | 32.157343 | 1607.87 |
100 | 29.478766 | 2947.88 |
250 | 27.217814 | 6804.45 |
500 | 25.273685 | 12636.84 |
1000 | 23.588772 | 23588.77 |