制造商型号: | FGY75T95LQDT |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT 950V 75A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FGY75T95LQDT
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FGY75T95LQDT 中文资料
数据手册PDF
FGY75T95LQDT 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 950 V
饱和电压 1.3 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 75 A
耗散功率 453 W
栅极—射极漏泄电流 250 uA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 69.986467 | 69.99 |
10 | 63.212903 | 632.13 |
100 | 52.334403 | 5233.44 |