制造商型号: | SQJ431EP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CHAN 200V SO8L |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQJ431EP-T1_GE3
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SQJ431EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ431EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 213 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 71 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ431EP-T1_GE3 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 6.146613 | 18439.84 |
6000 | 5.915531 | 35493.19 |
9000 | 5.719664 | 51476.98 |
品牌其他型号
SQJ431EP-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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