SQJ431EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.178 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 83 W
上升时间 11 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPak-6
外形尺寸
封装 PowerPak-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SQJ431EP-T1_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQJ431EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | SQJ431EP 系列 200 V 0.213 Ohms P-沟道 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8L | 搜索库存 |