制造商型号: | FGH75T65SQDTL4 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | 650V FS4 TRENCH IGBT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FGH75T65SQDTL4
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FGH75T65SQDTL4 中文资料
数据手册PDF
FGH75T65SQDTL4 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 150 A
耗散功率 375 W
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.289 g