制造商型号： | RGTV00TK65DGC11 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) RGTV00TK65DGC11
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RGTV00TK65DGC11 中文资料
数据手册PDF
RGTV00TK65DGC11 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 45 A
耗散功率 94 W
集电极连续电流（Max） 45 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
RGTV00TK65DGC11 同类别型号
库存： 430
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 86.563691 | 86.56 |
| 10 | 78.190673 | 781.91 |
| 25 | 74.555281 | 1863.88 |
| 100 | 61.825743 | 6182.57 |
| 250 | 58.188935 | 14547.23 |
| 500 | 54.552127 | 27276.06 |
| 1000 | 50.915319 | 50915.32 |
