制造商型号： | RGW00TS65DGC11 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RGW00TS65DGC11
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RGW00TS65DGC11 中文资料
数据手册PDF
RGW00TS65DGC11 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 96 A
耗散功率 254 W
集电极连续电流（Max） 96 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 13.867 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 45.073894 | 45.07 |
| 10 | 40.711238 | 407.11 |
| 100 | 33.706177 | 3370.62 |
| 500 | 29.350825 | 14675.41 |
| 1000 | 26.796224 | 26796.22 |
