制造商型号： | SQ1563AEH-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQ1563AEH-T1_GE3
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SQ1563AEH-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ1563AEH-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 850 mA
漏源电阻 150 mOhms, 500 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV, 1.5 V
栅极电荷 930 pC, 1 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns, 20 ns
正向跨导（Min） 2.6 S, 1.5 S
上升时间 21 ns, 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 28 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存： 2187
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.273923 | 6.27 |
| 10 | 5.397941 | 53.98 |
| 25 | 5.038078 | 125.95 |
| 100 | 4.029515 | 402.95 |
| 250 | 3.742099 | 935.52 |
| 500 | 3.166319 | 1583.16 |
| 1000 | 2.446711 | 2446.71 |
