制造商型号： | SSM6N67NU,LF |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Toshiba(东芝) SSM6N67NU,LF
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SSM6N67NU,LF 中文资料
数据手册PDF
SSM6N67NU,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 39.1 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 3.2 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 6 S
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 26 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.944079 | 2832.24 |
| 6000 | 0.868785 | 5212.71 |
| 15000 | 0.781906 | 11728.59 |
| 30000 | 0.770322 | 23109.66 |
| 75000 | 0.723987 | 54299.03 |
