制造商型号： | DMN2041UVT-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 8V~24V TSOT26 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMN2041UVT-7
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DMN2041UVT-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2041UVT-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 9.1 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.725559 | 2176.68 |
| 6000 | 0.667702 | 4006.21 |
| 15000 | 0.600926 | 9013.89 |
| 30000 | 0.592007 | 17760.21 |
| 75000 | 0.556447 | 41733.53 |
