制造商型号: | SSM6P36TU,LF |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Toshiba(东芝) SSM6P36TU,LF
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SSM6P36TU,LF 中文资料
数据手册PDF
SSM6P36TU,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSIII
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 330 mA
漏源电阻 1.31 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 190 mS
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 90 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7 mg
库存: 3000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.268839 | 3806.52 |
6000 | 1.167644 | 7005.86 |
15000 | 1.05088 | 15763.20 |
30000 | 1.035311 | 31059.33 |
75000 | 0.973037 | 72977.78 |
150000 | 0.934115 | 140117.25 |